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英特尔最近在比利时安特卫普的ITF World 2023活动上首次向公众介绍了他们最新的堆迭式CFET晶体管架构。英特尔技术开发总经理Ann Kelleher概述了公司在几个关键领域的最新进展，其中包括未来将采用的堆迭式CFET晶体管架构。然而，公司并未透露具体的量产日期。

在2021年的\"英特尔加速创新：制程技术和封装技术线上发表会\"上，英特尔确认了他们在Intel 20A制程技术中将引入Gate All Around（GAA）技术的RibbonFET晶体管架构，以取代自2011年以来一直使用的FinFET晶体管架构。Ann Kelleher表示，RibbonFET将在2024年亮相。

根据招募信息显示，NVIDIA将扩大其工程研发团队，并建立NVIDIA Omniverse Team。这个团队将开发一个能够扩展3D设计软件和多个处理器，并支持多方实时协作的平台，旨在将各种3D设计应用软件整合到一个简化的界面中，从而快速构建虚拟世界中的元宇宙。

此外，英特尔还展示了下一代GAA技术的堆迭式CFET晶体管架构，该架构允许堆迭8个纳米片，是RibbonFET所使用的4个纳米片的两倍，从而增加了晶体管的密度。C目前，英特尔正在研究两种类型的CFET晶体管，即单片式和顺序式。然而，公司目前似乎还没有确定最终采用哪种CFET晶体管，或者是否会出现其他类型的设计。

英特尔表示，预计到2032年，晶体管将发展到5埃米，CFET晶体管架构的类型也将发生变化，然而，在本次介绍中，英特尔只是概述了晶体管技术的发展路径，并没有提供太多详细信息。预计未来还会陆续发布更多细节。

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